少层 PbI2 中的 Frenkel 类 Wannier-Mott 激子
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v2
摘要
对直接带隙体材料及少层 PbI2 的能带结构和激子态进行的光学测量与第一性原理计算表明，n = 1 激子具有 Frenkel 类性质，因为其能量在直至原子尺度的厚度范围内表现出微弱的依赖性。结果揭示，随着层数减少，带隙和激子结合能显著增加，且基态带隙发生转变，在 1-2 个单层时变为间接带隙。计算值与基于激子形成 Wannier-Mott 理论的粒子在一维箱模型 reasonably 吻合。一般性论证和现有数据表明，最低激子的 Frenkel 类特征是宽带隙层状半导体的普遍特征，这些半导体的有效质量和介电常数使得其体材料玻尔半径与层间距相当。
引用
@article{arxiv.1408.1942,
title = {Frenkel-like Wannier-Mott Excitons in Few-Layer PbI2},
author = {Alexis S. Toulouse and Benjamin P. Isaacoff and Guangsha Shi and Marie Matuchová and Emmanouil Kioupakis and Roberto Merlin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.1942},
year = {2015}
}