中性双层结构中的激子能隙形成
强关联电子
2016-08-08 v1
摘要
我们考虑中性双层类结构中的导带电子与价带空穴之间的配对。通过采用双层Hubbard模型，我们展示了系统在无外加电场情况下形成层间激子的可能性。考虑了平面内和层间库仑相互作用对配对机制的影响，并分析了平面内粒子跳跃不对称性对能隙行为的作用。我们展示了所考虑系统中同时存在Frenkel型配对通道和Wannier-Mott型激子配对。我们还分析了双层系统中化学势的结构。讨论了温度效应以及可调层间电子跳跃效应。对于Frenkel通道，我们展示了在极低温下化学势的特殊行为，这与简并的Frenkel能隙相关。
引用
@article{arxiv.1508.00508,
title = {Excitonic gap formation in neutral bilayer structures},
author = {V. Apinyan and T. K. Kopeć},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.00508},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 14 figures (in the arXive version), 12 pages, 14 figures (in the published version)