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分形场效应晶体管:增强的光电探测与分形依赖的共振

介观与纳米尺度物理 2023-03-02 v2 强关联电子

摘要

我们研究了在 Dyakonov 和 Shur 不对称边界条件下具有分形几何形状的栅控场效应晶体管(FETs),其中源极和漏极分别跨越器件的左右边缘。在源极和栅极之间施加交流太赫兹(THz)电势差,同时测量由 FET 电子的非线性整流后的静态源漏电压。我们发现,对于递归深度 nn,沿漏极积分的电势在 ωn=3nω0{\omega}_n = 3n{\omega}_0 处的共振峰被放大,而所有其他峰均被减弱。此外,我们发现了频率依赖于 Sierpinski 地毯及另一种类似分形的分形维数的峰的存在。随后,我们证明了与 Sierpinski 地毯相比,采用该替代分形作为光电探测器的优越几何结构具有优势。

关键词

引用

@article{arxiv.2302.14187,
  title  = {Fractal field-effect transistors: Enhanced photodetection and fractal dependent resonances},
  author = {Bailey Winstanley and Alessandro Principi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2302.14187},
  year   = {2023}
}

备注

Problems in manuscript