等离子体场效应晶体管中受驱振荡的精确解
应用物理
2018-08-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
高迁移率场效应晶体管由于沟道中等离激元的激发，可用作太赫兹辐射的谐振探测器。此前对这些器件的建模要么依赖近似技术，要么依赖复杂的全波仿真。本文中，我们获得了具有实际接触几何结构的等离子体场效应晶体管中受驱电振荡的精确解。所得解突出了在接触附近激发的倏逝等离子体波的重要性，其定性地改变了探测器的响应谱。我们推导了等离子体 FET 交流浮置电极上的边界条件，该条件在开路（Dyakonov-Shur）和短路（钳位电压）边界条件之间插值。在这两种极限下，FET 光电压都具有谐振条纹，但开路 regime 中的电压绝对值更大。
引用
@article{arxiv.1806.05118,
title = {Exact solution for driven oscillations in plasmonic field-effect transistors},
author = {Dmitry Svintsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.05118},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures