通量驱动的无序拓扑绝缘体纳米线电导尺度
介观与纳米尺度物理
2026-02-25 v1
摘要
我们研究了受轴向磁通作用下的无序拓扑绝缘体纳米线中的量子输运。 在整数磁通量子数时，自旋动量锁定产生弱反局化峰；而在半整数磁通量子数时，由时反演对称性(TRS)保护的螺旋模态抑制了散射。 通过分析局域长度随磁通的依赖性，发现半整数磁通量子数附近出现临界尺度，反映了无序散射与磁通引起的TRS保护破坏之间的竞争。 随着无序强度的增加，我们识别出尺度行为的一种横断面，使系统进入由普适临界指数支配的 regime。 我们的结果表明，尺度在不同磁通值下可实现坍缩，确立了TINW中通量驱动的去局化的普适 regime。
引用
@article{arxiv.2602.20884,
title = {Flux-Driven Conductance Scaling in Disordered Topological Insulator Nanowires},
author = {Shimon Arie Haver and Emuna Rimon and Eytan Grosfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.20884},
year = {2026}
}