半导体表面扫描隧道显微镜中能量尺度的标定
介观与纳米尺度物理
2013-12-12 v1
摘要
在半导体表面的扫描隧道实验中，由于针尖诱导的能带弯曲，隧道结内的能量尺度通常是未知的。本文中，我们通过将扫描隧道显微镜与开尔文探针力谱相结合，实验上恢复了能量尺度的零点。利用这一技术，我们重新审视了埋藏在 GaAs 中的浅受主。在负、零和正能带弯曲区域均观察到增强的受主相关电导。我们使用 Anderson-Hubbard 模型来合理化我们的发现，该模型分别捕捉了在零能带弯曲时受主态属于杂质带，以及在强负或强正能带弯曲时受主态分裂并局域化之间的渡越。
引用
@article{arxiv.1312.3129,
title = {Fixing the Energy Scale in Scanning Tunneling Microscopy on Semiconductor Surfaces},
author = {Gerhard Münnich and Andrea Donarini and Martin Wenderoth and Jascha Repp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3129},
year = {2013}
}
备注
32 pages, 13 figures