三端 InSb-Al 纳米线器件中零能模式的参数化探索
介观与纳米尺度物理
2022-09-14 v1 超导电性
摘要
我们利用射频反射法系统地研究了三端 InSb-Al 纳米线器件。在系统地改变化学势、磁场和结透明度的同时，对混合纳米线的两端进行了隧穿谱测量。通过识别最低能量态，可以构建最低和零能量态相图，这些相图显示了态如何作为上述参数的函数而演化。重要的是，比较混合结构两端获取的相图能够识别出不同时共存的态，从而排除了参数空间中大量作为拓扑相候选的区域。此外，改变结透明度可以滤除对局域栅极电势敏感的零能态。这种测量策略显著减少了识别潜在拓扑相所需的时间，并最大限度地降低了将平庸束缚态误判为马约拉纳零能模的风险。
引用
@article{arxiv.2203.00773,
title = {Parametric exploration of zero-energy modes in three-terminal InSb-Al nanowire devices},
author = {Ji-Yin Wang and Nick van Loo and Grzegorz P. Mazur and Vukan Levajac and Filip K. Malinowski and Mathilde Lemang and Francesco Borsoi and Ghada Badawy and Sasa Gazibegovic and Erik P. A. M. Bakkers and Marina Quintero-Perez and Sebastian Heedt and Leo P. Kouwenhoven},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.00773},
year = {2022}
}
备注
Main text: 12 pages, 9 figures. SupplementaryMaterials: 12 pages, 14 figures