磁场下半导体纳米结构的第一性原理有效质量哈密顿量
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们针对缓慢变化外磁场中的晶格匹配半导体纳米结构，导出了一个多带有效质量哈密顿量。该理论由 Pickard 和 Mauri 的第一性原理磁场耦合哈密顿量导出，适用于密度泛函理论局域密度近似下的非局域模守恒赝势。纳米结构的赝势被处理为体参考晶体的微扰，在 k.p 微扰理论中包含了线性与二次响应项。所得哈密顿量包含了以往磁场下纳米结构研究中未包含的若干界面项。该推导首次给出了直接的解析表达式，展示了非局域势与磁场的耦合如何影响电子的有效磁偶极矩。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507044,
title = {First-principles effective-mass Hamiltonian for semiconductor nanostructures in a magnetic field},
author = {Bradley A. Foreman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507044},
year = {2007}
}
备注
12 pages, no figures