多带k·p哈密顿量中空穴在半导体异质结构中的磁场实现
介观与纳米尺度物理
2013-03-27 v1
摘要
我们提出了一种在异质结构空穴的k·p哈密顿量中实现外部均匀磁场的方法，其中我们在引入包络函数近似之前使用了最小耦合。对InGaAs量子点分子中空穴的示例计算表明，所提出的哈密顿量优于描述实验观测到的磁响应的标准Luttinger模型[Physical Review 102, 1030 (1956)]。目前的实现完善了我们之前的提议[Phys. Rev. B 82, 155307 (2010)]。
引用
@article{arxiv.1303.6538,
title = {Magnetic field implementation in multiband k.p Hamiltonians of holes in semiconductor heterostructures},
author = {Josep Planelles and Juan I. Climente},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.6538},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures, submitted