有限磁场下晶体的通用第一性原理方法
材料科学
2025-10-07 v2
摘要
我们引入了一种用于计算有限均匀磁场下电子结构的通用第一性原理方法，允许任意有理磁通量和非局部赝势，计算复杂度与常规平面波赝势方法在零场条件下相当。该方法的灵活性通过对分子和晶体系统的全面应用得以证明，包括磁化率、磁感应电流和磁能带的计算。此外，我们为均匀磁场下晶体的两个性质提供了严格的证明：“强平移对称性”和“磁带移位”现象。
引用
@article{arxiv.2505.06585,
title = {General First-Principles Approach to Crystals in Finite Magnetic Fields},
author = {Chengye Lü and Yingwei Chen and Yuzhi Wang and Zhihao Dai and Zhong Fang and Xin-Gao Gong and Quansheng Wu and Hongjun Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.06585},
year = {2025}
}