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金属卤化物钙钛矿中缺陷的第一性原理计算:密度泛函的性能比较

材料科学 2021-09-02 v2

摘要

金属卤化物钙钛矿半导体具有出色的光电性质。尽管这些钙钛矿在电子结构上具有缺陷容忍性,但缺陷会损害其长期稳定性并导致降解。密度泛函理论(DFT)计算是揭示缺陷微观结构的重要工具,但结果受限于DFT泛函中使用的不同近似。在金属卤化物钙钛矿的情况下,使用不同泛函已报道了定性不同的结果,要么预测空位要么预测间隙点缺陷占主导。在此,我们对典型金属卤化物钙钛矿MAPbI3_3中计算点缺陷平衡形成能和浓度的广泛泛函进行了全面比较。我们发现,在泛函中包含长程范德瓦耳斯相互作用至关重要,并且自洽优化缺陷形成所涉及的所有化合物的结构与体积至关重要。对于计算MAPbI3_3及类似金属卤化物钙钛矿中点缺陷的平衡形成能,我们认为所涉及物种的化学势或本征费米能级的精确值并不重要。与简单的肖特基或弗伦克尔图像相反,我们发现主导缺陷是MA和I间隙以及Pb空位。

关键词

引用

@article{arxiv.2104.01087,
  title  = {First-principles calculations of defects in metal halide perovskites: a performance comparison of density functionals},
  author = {Haibo Xue and Geert Brocks and Shuxia Tao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2104.01087},
  year   = {2021}
}