铅卤化物钙钛矿中缺陷容忍性的实验证据
材料科学
2024-02-23 v4 应用物理
摘要
缺陷容忍性（DT）一词常被用来解释卤化物钙钛矿（HaPs）及其器件的优异光电特性。尽管 DT 缺乏直接的实验证据，它已成为该领域的一个“事实”。半导体中的 DT 意味着结构缺陷不会转化为与此类缺陷相关的电学和光学效应（例如由于电荷俘获）。我们通过使用高灵敏度方法比较二维（2D）、2D-3D 和三维（3D）碘化铅 HaP 晶体的结构质量与其光电特性，给出了 Pb-HaPs 中 DT 的首个直接实验证据。重要的是，我们获取了材料体相的信息，因为我们从样品表面采样至少几百纳米、至多几微米，这允许评估 HaPs 的本征体相（而不仅是表面）性质。结果指向 3D、2D-3D 和 2D Pb-HaPs 中的 DT。总体而言，我们的数据为解释 Pb-HaPs 中的 DT 提供了实验基础。这些实验和发现可指导寻找和设计其他具有 DT 的材料。
引用
@article{arxiv.2305.16017,
title = {Experimental Evidence for Defect Tolerance in Pb-Halide Perovskites},
author = {Naga Prathibha Jasti and Igal Levine and Yishay Feldman and Gary Hodes and Sigalit Aharon and David Cahen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.16017},
year = {2024}
}