基于深能级瞬态谱的卤化物钙钛矿整流器件结构自愈合效应估算
应用物理
2023-12-12 v2 光学
摘要
卤化物钙钛矿中的缺陷活动仍是其光电子学应用的关键制约因素。卤化物钙钛矿晶格中形成的缺陷（空位、反位、间隙原子）被认为是外部应力下界面腐蚀与分解过程的主要根源。同时，自愈合效应作为卤化物钙钛矿基器件的特征之一被报道，表现为特定条件下器件性能的恢复。此类过程需要详细分析以实现缺陷参数的定量分析。本工作中，我们使用导纳谱与光学深能级瞬态谱，测定了基于CH3NH3PbBr3的简化整流器件架构在连续累积吸收辐射剂量（快电子，5 MeV）后缺陷能级的演化。我们发现电子束辐照诱导形成激活能为0.83 eV的反位PbBr深能级态。吸收辐射剂量增至1.5 Mrad导致0.83 eV缺陷浓度急剧升高，该浓度可在温度扫描过程中被有效退火。我们分析并讨论了不同吸收辐射剂量后的缺陷参数变化。当前工作为硬外部应力下卤化物钙钛矿基器件的自愈合过程提供了新见解，揭示了缺陷行为的重要特性。
引用
@article{arxiv.2305.06781,
title = {Estimation of self-healing effects in halide perovskite based rectifying device structures via deep-level transient spectroscopy},
author = {Anton Vasilev and Artur Ishteev and Kamilla Konstantinova and Alina Zharkova and Oleg Bronnikov and Sergey Didenko and Danila Saranin and Alexander Polyakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.06781},
year = {2023}
}
备注
Upgrade of results