二维卤化物钙钛矿：缺陷电子活性的调控
材料科学
2016-05-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维(2D)卤化物钙钛矿正成为纳米电子学和光电子学中有前景的候选材料。为发挥其全部潜力，理解那些能强烈影响材料性质的缺陷的作用十分重要。与其他流行的2D半导体（例如过渡金属二硫属化物 MX2）中缺陷通常诱导有害陷阱不同，我们表明2D钙钛矿中缺陷的电子活性是可显著调控的。例如，即使具有固定的晶格取向，也可改变合成条件将线缺陷（边缘或晶界）从电子受体转变为无深带隙态的非活性位点。我们表明此差异源于这些钙钛矿相比于 MX2 增强的离子键。施主往往具有高能形成能，且在低卤化物化学势下有害缺陷难以形成。因此我们揭示了2D钙钛矿中缺陷的独特性质，并提出了改进它们的实用途径。
引用
@article{arxiv.1605.02422,
title = {Two-dimensional Halide Perovskites: Tuning Electronic Activities of Defects},
author = {Yuanyue Liu and Hai Xiao and William A. Goddard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.02422},
year = {2016}
}