硅中固有缺陷形成体积的第一性原理计算
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们进行了大规模的第一性原理研究，系统考察了所有已知硅中空位和自互位缺陷构型在从-2到+2电荷态下的形成 enthalpy随压力的依赖性。发现中性空位的形成体积随压力变化显著，导致Frenkel对（V+I）在零压力下的形成体积�现极大的负值（-0.68原子体积）。进一步考察了体积与电荷的相互作用，构建了缺陷的压力-费米水平稳定图。最后量化了中性缺陷周围晶格松弛的各向异性特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508329,
title = {First-principles calculation of intrinsic defect formation volumes in silicon},
author = {Scott A. Centoni and Babak Sadigh and George H. Gilmer and Thomas J. Lenosky and Tomas Diaz de la Rubia and Charles B. Musgrave},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508329},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures