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双层带绝缘体中关联性的有限温度研究

强关联电子 2022-11-22 v4 超导电性

摘要

我们对半填充双层平方晶格上的吸引 Hubbard 模型进行了有限温度行列式量子蒙特卡洛模拟。光晶格实验的最新进展促使我们研究各种单粒子性质,如动量分布和双占据数,这些在冷原子实验中应易于测量。我们详细研究了配对-配对和密度-密度关联,并通过有限尺寸标度分析表明,在双层带绝缘体模型中不存在竞争的电荷密度波序,且超流相是相互作用范围 \absU/t=510\abs{U}/t = 5-10 内的稳定相。我们展示了随着吸引相互作用增强,系统中存在两个能量尺度,一个控制相位相干,另一个对应于分子形成。最后,我们绘制了完整的 TUT-U 相图,并与通过平均场分析得到的 TcT_c 进行比较。我们观察到最大 Tc/t(=0.27)T_c/t(= 0.27) 出现在 \absU/t=6\abs{U}/t = 6 处,这大约是单层吸引 Hubbard 模型所报道 TcT_c 的两倍。

关键词

引用

@article{arxiv.2206.06085,
  title  = {Finite temperature study of correlations in bilayer band-insulator},
  author = {Yogeshwar Prasad},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.06085},
  year   = {2022}
}

备注

10 pages, 13 figures