非均匀二维吸引 Hubbard 模型中的 s 波超导相图

我们研究了二维方格子吸引 Hubbard 哈密顿量中，针对各种相互作用位点非均匀图案的 s 波超导电性。利用 Bogoliubov-de Gennes (BdG) 平均场近似，我们获得了非均匀图案的相图，其中电子间的在位吸引相互作用 $U_i$ 取两个值：$U_i=0$ 和 $-U/(1-f)$（$f$ 为非相互作用位点的浓度），作为每个位点平均电子占据数 $n$ 的函数，并研究了相图随 $f$ 变化的演化。在相图的某些区域，与具有相同平均相互作用强度（所有位点 $U_i=-U$）的均匀系统相比，非均匀性导致了更大的零温平均配对振幅（序参量）以及更高的超导 (SC) 临界温度 $T_c$。这些效应在条纹、棋盘格甚至随机分布的吸引中心图案中均被观察到，表明非均匀性的具体图案并不重要。相图还包括由于形成各种电荷有序相而导致超导电性被消除的区域。只要每个位点的电子掺杂量 $n$ 小于相互作用位点分数的两倍 [$2(1-f)$]，无论图案如何，由非均匀性引起的 $T_{c}$ 增强都是稳健的。我们还表明，对于某些非均匀图案，当 $n = 2(1-f)$ 时，升高温度会破坏大 $f$ 值下现有电荷有序相的稳定性，从而提高 $T_{c}$。