多段InGaN/GaN量子阱激光器结构中的飞秒超辐射
强关联电子
2011-04-05 v2 超导电性
光学
摘要
我们从理论上分析了基于GaN的量子阱(QW)激光异质结构中产生超辐射发射(SR)的可能性。我们的模型基于行波Maxwell-Bloch方程，预测了量子阱中载流子集合内宏观相干性的建立。我们证明了SR由向相干物质态相变的Ginzburg-Landau方程所描述。对于在蓝光/紫光波长范围内具有峰值发射的InGaN/GaN异质结构量子阱，预测其产生的超辐射脉冲短至500 fs，峰值功率超过200 W。
引用
@article{arxiv.1103.5507,
title = {Femtosecond superradiance in multiple-section InGaN/GaN quantum well laser structures},
author = {D. L. Boiko and P. P. Vasil'ev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5507},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures; v2 : misprints in 2-d Eg.(6) and 2-d Eq.(10) are corrected; v2 is submitted to PRL