超快激发下影响InGaN量子阱太赫兹发射的因素
光学
2024-04-04 v1 应用物理
摘要
在c面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子阱（QWs）由于晶格失配而承受应变。应变在量子阱中产生强压电场，有助于在超快激发下产生太赫兹发射。物理参数如量子阱宽度、周期数和铟浓度可以影响压电场的强度并导致太赫兹发射。实验参数如泵浦注量、激光能量、激发功率、泵浦偏振角和入射角可以调谐以进一步优化太赫兹发射。本综述总结了物理和实验参数对InGaN量子阱太赫兹发射的影响。给出了量子阱中光致发光特性与太赫兹发射之间的比较和关系，进一步解释了InGaN量子阱中太赫兹发射的起源。
引用
@article{arxiv.2404.02398,
title = {Factors Affecting Terahertz Emission from InGaN Quantum Wells under Ultrafast Excitation},
author = {Muhammad Farooq Saleem and Ghulam Abbas Ashraf and Muhammad Faisal Iqbal and Rashid Khan and Muhammad Javid and Tianwu Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.02398},
year = {2024}
}