块体介电质中纳米结构的法拉第笼斜角刻蚀
介观与纳米尺度物理
2023-05-03 v1
摘要
对于许多新兴光电材料，异质外延生长技术无法提供块体单晶生长所具有的高材料质量。然而，纳米尺度下对光学、电学或机械隔离的需求常常需要使用异质衬底，有源器件层即置于其上。法拉第笼斜角刻蚀(FCAE)通过斜角刻蚀工艺实现原位器件释放与隔离，从而免除了对这些平面薄膜技术的需求。通过在电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)过程中将法拉第笼环绕样品放置，刻蚀等离子体在笼表面形成等势，使离子垂直于笼面入射。本文在硅刻蚀平台上研究了法拉第笼角度、网孔尺寸和样品放置位置对刻蚀角度、均匀性和掩模选择性的影响。仿真结果在定性上证实了实验，并有助于阐明其中的物理机制。这些结果将有助于指导广泛材料平台上的FCAE工艺设计。
引用
@article{arxiv.1603.03735,
title = {Faraday cage angled-etching of nanostructures in bulk dielectrics},
author = {Pawel Latawiec and Michael J. Burek and Young-Ik Sohn and Marko Lončar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.03735},
year = {2023}
}