低温旋涂法制备与表征石墨烯-钛酸钡-石墨烯层状电容器
应用物理
2023-06-21 v1 材料科学
摘要
钛酸钡 BaTiO3（BT）材料已通过两种不同路线合成：分别采用球磨衍生（BMD）纳米粉体和前驱体衍生（PCD）BT 合成方法，通过旋涂在不锈钢（SS）和石英衬底上制备 BT 薄膜。随后，两种合成路线的薄膜均通过紫外-可见-近红外（UV-Vis-NIR）光谱、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、X 射线衍射（XRD）、拉曼光谱和四探针共线探头在室温下表征。我们的研究表明，即使在 900^0C 空气退火条件下，PCD 合成工艺也未生成 BT 相。相比之下，由 BMD-BT 纳米粉体形成了均匀的 BT 薄膜。BMD-BT 薄膜的光学带隙位于 3.10–3.28 eV 范围。最后，通过旋涂在低于 100^0C 的加工温度下在 SS 衬底上制备了石墨烯-钛酸钡-石墨烯（G-BT-G）结构，并用两台不同设备表征：恒电位仪/恒电流仪（PG-STAT）和精密阻抗分析仪（PIA）。G-BT-G 结构展现出 8 nF 和 7.15 nF 的电容、最高 800 和 790 的介电常数，以及 4.5 和 5 的低介电损耗，分别由 PG-STAT 和 PIA 设备测得。
引用
@article{arxiv.2306.10400,
title = {Fabrication and Characterization of Graphene-Barium Titanate-Graphene layered capacitors by spin coating at low processing temperatures},
author = {M. S. Habib and S. F. U. Farhad and N. I. Tanvir and M. S. Alam and M. N. A. Bitu and M. S. Islam and S. Islam and N. Khatun and M. S Hossain},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.10400},
year = {2023}
}
备注
25 pages, 11 Figures