嵌入 Nb 薄膜中的$\beta$-Ga$_2$O$_3$纳米颗粒的输运性质
材料科学
2014-10-09 v1
摘要
非磁性氧化物纳米颗粒中铁磁性的起源是一个有趣的研究领域。在本工作中，展示了嵌入有 -GaO 纳米颗粒的铌薄膜的输运性质。通过在室温下将 Si (100) 和玻璃基底保持在室温，利用射频共溅射技术制备了嵌入 Nb 基体中的 -GaO 纳米颗粒。沉积在 Si 基底上的薄膜在 600-650 C 的温度下进行了 1 小时的 Ar 退火。通过 X 射线衍射 (XRD) 和显微拉曼光谱对薄膜进行了表征，并使用能量色散 X 射线光谱 (EDS) 进行了元素鉴定。通过四探针接触技术进行的低至液氦温度的输运测量显示了类似于在 Kondo 系统背景下观察到的特性。本文将实验数据与 Kondo 和 Hamann 的理论形式进行了比较。研究表明，这种行为源于非磁性氧化物 GaO 纳米颗粒中与氧空位缺陷相关的磁矩的存在。
引用
@article{arxiv.1410.2047,
title = {Transport properties of beta-Ga2O3 Nanoparticles embedded in Nb thin films},
author = {L. S. Vaidhyanathan and M. P. Srinivasan and P. Chandra Mohan and D. K. Baisnab and R. Mythili and M. P. Janawadkar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2047},
year = {2014}
}
备注
15 pages, 4 figures