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利用片上微波天线激发 Si/SiGe 量子点

介观与纳米尺度物理 2016-04-18 v1

作者: E. Kawakami , P. Scarlino , L. R. Schreiber , J. R. Prance , D. E. Savage , M. G. Lagally , M. A. Eriksson , L. M. K. Vandersypen

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摘要

我们报告了对通过片上天线接受微波激发的 Si/SiGe 量子点进行的输运测量。响应显示出光子辅助隧穿的迹象，且对电荷稳定性影响较小。我们还探索了在天线上施加直流电流以产生可调谐局部磁场梯度的方法，并对受限于储库加热的可实现磁场梯度设定了界限。

关键词

Si/SiGe 量子点微波激发片上天线光子辅助隧穿电荷稳定性磁场梯度输运测量

引用

@article{arxiv.1301.2126,
  title  = {Excitation of a Si/SiGe quantum dot using an on-chip microwave antenna},
  author = {E. Kawakami and P. Scarlino and L. R. Schreiber and J. R. Prance and D. E. Savage and M. G. Lagally and M. A. Eriksson and L. M. K. Vandersypen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2126},
  year   = {2016}
}