单侧带电黑洞的纠缠岛与Page曲线
广义相对论与量子宇宙学
2024-08-15 v2 高能物理 - 理论
摘要
在本文中，我们将使用描述由引力坍缩形成的单侧渐近平坦中性黑洞的“in”真空态计算霍金辐射纠缠熵的方法，推广到动态带电黑洞。我们探讨了电荷对岛边界∂I位置和Page时间的影响。由于几何结构不同，我们分别讨论了非极端和极端带电黑洞。在非极端情况下，岛的出现挽救了晚期熵的界限，霍金辐射的纠缠熵满足Page曲线。此外，我们还发现岛边界∂I的位置依赖于截断曲面（观测者）的位置，这与永恒带电黑洞中的行为不同。在极端黑洞中，当岛存在时，纠缠熵近似等于贝肯斯坦-霍金熵，而当岛不存在时，纠缠熵变得无定义。我们的分析强调了不同的几何构型如何显著影响熵的行为。
引用
@article{arxiv.2405.16457,
title = {Entanglement island and Page curve for one-sided charged black hole},
author = {Yun-Feng Qu and Yi-Ling Lan and Hongwei Yu and Wen-Cong Gan and Fu-Wen Shu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.16457},
year = {2024}
}