带电线性膨胀子黑洞中的孤岛

我们研究了一类渐近非平坦/AdS/dS的非标准黑洞的Page曲线。为此，我们将孤岛处方应用于带电线性膨胀子黑洞，并详细分析了非极端情形与极端情形下霍金辐射的纠缠熵。在非极端情形中，我们发现与幺正性原理一致的Page曲线：早期无孤岛时纠缠熵随时间线性增长，晚期有孤岛时其饱和于两倍Bekenstein-Hawking熵。我们观察到由我们的方法研究的所有不同模型的Page时间都是普适的：$t_{\text{Page}}=\frac{3}{ \pi c}\frac{S_{\text{BH}}}{T_H}.$ 对于极端情形，孤岛处方仅在有孤岛时给出定义良好的纠缠熵，而无法从非极端情形的连续极限得到。这意味着极端情形可能无法重现Page曲线，尚需进一步研究。