带线缺陷的可积场论中的纠缠熵 I. 拓扑缺陷
高能物理 - 理论
2017-09-13 v3
摘要
在本文及一篇配套论文中，我们研究了可积线缺陷对 1+1 维有质量可积场论中纠缠熵的影响。本文聚焦于纯透射的拓扑缺陷。利用形式因子 bootstrap 方法，我们证明了拓扑缺陷在 UV 极限下不影响纠缠熵，而在 IR 极限下仅对主导指数修正产生轻微改变。该结论对幺正与非幺正场论均成立。相比之下，非拓扑缺陷在 UV 和 IR 极限下均对纠缠熵有更显著的影响，这将在配套论文中予以研究。
引用
@article{arxiv.1703.03562,
title = {Entanglement Entropy in Integrable Field Theories with Line Defects I. Topological Defect},
author = {Yunfeng Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.03562},
year = {2017}
}
备注
30 pages, references added, typos corrected