通过等温近空间升华增强 ZnTe 在多孔硅中的渗透
材料科学
2019-09-23 v1
摘要
采用等温近空间升华(ICSS)技术将 ZnTe 嵌入多孔硅(PS)薄膜中。研究了制备条件的影响,特别是 ZnTe 生长前的化学刻蚀步骤,对 ZnTe 嵌入 PS 后的成分分布和最终孔隙率的影响。嵌入材料的结构通过 X 射线衍射分析确定,样品厚度通过扫描电子显微镜(SEM)测定。卢瑟福背散射(RBS)和能量色散(EDS)谱仪用于确定成分分布。我们得出结论:ZnTe 生长前对 PS 表面的刻蚀有两个主要效应:增加孔隙率并增强内表面的反应活性。观察到这两种效应均有利于孔隙的填充过程。由于 RBS 和 EDS 在当前体系中无法检测孔隙率,我们通过拟合紫外-可见(UV-VIS)反射光谱来探究孔隙率的演化。用该方法确定的原子百分比与 RBS 和 EDS 测量结果相对吻合较好。
引用
@article{arxiv.1909.08708,
title = {Enhanced ZnTe infiltration in porous silicon by Isothermal Close Space Sublimation},
author = {C. de Melo and S. Larramendi and V. Torres- Costa and J. Santoyo-Salazar and M. Behar and J. Ferraz Dias and O. de Melo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.08708},
year = {2019}
}
备注
This article appeared in Microporous and Mesoporous Materials 188 2014 93 98 and may be found at www.sciencedirect.com/science/article/pii/S138718111400019