电沉积Co/Cu多层膜的SNMS反向深度剖析
材料科学
2009-02-11 v1
摘要
通过电沉积制备的多层薄膜的整体质量受到表面和界面粗糙度的强烈影响，且粗糙度随层数增加而增大。正因如此，对最初几层进行可靠的分析可能是必要的。然而，在基于溅射技术的深度剖析方法中，第一层总是位于溅射坑的底部。由于溅射过程中深度分辨率会下降，因此对最初几层的分析很困难。为了解决这个问题，我们对电沉积多层膜采用了反向二次中性粒子质谱（SNMS）深度剖析方法。我们以两种方式制备了薄膜样品。首先，在Si/Cr/Cu衬底上电沉积Co/Cu多层堆叠，并从最顶层方向进行SNMS深度剖析。其次，在电沉积的Co/Cu多层堆叠上镀上几微米厚的Ni层，并将其从Si衬底上剥离，以便从衬底一侧研究薄膜结构。使用后一种方法，我们能够以高分辨率分析薄膜结构中最初的、可能也是最平整的几层。
引用
@article{arxiv.0902.1672,
title = {Reverse depth profiling of electrodeposited Co/Cu multilayers by SNMS},
author = {A. Csik and K. Vad and G. A. Langer and G. L. Katona and E. Toth-Kadar and L. Peter},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.1672},
year = {2009}
}