通过前驱体顺序沉积生长的 CTZS 薄膜
材料科学
2014-10-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究对比分析了通过两种不同技术制备的 Cu2ZnSnS4 (CZTS) 薄膜的结构、光学和形貌特性。第一种技术是在由 effusion 池蒸发提供的硫流下，对元素金属前驱体进行顺序蒸发（物理气相沉积-PVD）；第二种是基于溶液的化学路线，即通过扩散膜辅助化学浴沉积技术顺序沉积 CuS、SnS 和 ZnS 薄层，其中利用膜通过渗透作用适度控制金属向 CBD 溶液的释放，从而优化动力学生长。目前的对比研究有助于黄铜矿结构纳米结构薄膜的合成。
引用
@article{arxiv.1410.2541,
title = {CTZS Thin Films Grown by a Sequential Deposition of Precursors},
author = {Daniel Cruz-Lemus and Miguel Angel Gracia-Pinilla and Mikel Hurtado and Gerardo Gordillo Guzman and Iver Lauermann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2541},
year = {2014}
}
备注
Published 2014