拓扑绝缘体热电性中的涌现拓扑场与相对论声子

拓扑边缘态被预测为拓扑绝缘体（当前最佳热电材料）高效热电响应的原因。然而，要解释其优值，拓扑电子、熵与声子的共存不能独立考虑。在一个将电动力学与拓扑结合的背景下，通过拓扑内禀场的表达式，我们处理拓扑表面内的相对论声子，展示它们调制能带 Berry 曲率的能力，从而在热电效应中发挥根本作用。最后，我们展示此类相对论热激发下的拓扑绝缘体如何保持时间反演对称性，从而允许在高温下观测到高优值。这一新内禀拓扑场的涌现及其他约束适于产生实验后果，为基于该拓扑效应的技术改善效率开辟了新的可能。