SrTiO3 电双层晶体管中的静电电荷积累与电化学掺杂
强关联电子
2010-06-22 v1
摘要
在基于 SrTiO3 单晶的电双层晶体管中，我们发现静电电荷积累与电化学反应之间存在显著差异，具体取决于偏置电压。与 3.7 V 以下、最大面载流子密度 nS 为 10^14 cm^{-2} 的可逆静电过程相反，电化学过程在移除 3.75 V 以上的栅极偏压后仍会导致持续导电。在 5 V 时，nS 达到 10^15 cm^{-2}，2 K 时的电子迁移率高达 10^4 cm^2/Vs。这种持续导电源于 SrTiO3 表面几微米深度内的缺陷形成。
引用
@article{arxiv.1006.3847,
title = {Electrostatic charge accumulation versus electrochemical doping in SrTiO3 electric double layer transistors},
author = {Kazunori Ueno and Hidekazu Shimotani and Yoshihiro Iwasa and Masashi Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.3847},
year = {2010}
}
备注
11 pages, 5 figures. Applied Physics Letters, in press