反应离子溅射沉积于4H-SiC上Al2O3薄膜的性质
应用物理
2019-06-10 v1
摘要
本工作中，通过形貌、化学和电学表征研究了反应离子溅射沉积的Al2O3薄膜的电学性质。该绝缘层的电子俘获效应在快速热退火(RTA)后得以缓解。RTA还将介电常数提高至6ε0，尽管负固定电荷仍保持在1012 cm-2量级。然而，对MOS电容器的温度依赖电学研究表明，室温下2.37 eV的Fowler-Nordheim电子势垒高度介于SiO2/4H-SiC与Al2O3/4H-SiC体系预期值之间。
引用
@article{arxiv.1906.03092,
title = {Properties of Al2O3 thin films deposited on 4H-SiC by reactive ion sputtering},
author = {P. Fiorenza and M. Vivona and S. Di Franco and E. Smecca and S. Sanzaro and A. Alberti and M. Saggio and F. Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.03092},
year = {2019}
}