Janus 结构 SMoSe/MoX$_2$（X=S,Se）面内异质结的电子与结构性质：一项 DFT 研究
材料科学
2022-07-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
采用密度泛函理论计算研究了具有单原子空位的 Janus 结构 MoSSe/MoX（X=S,Se）面内异质结的电子与结构性质。通过内聚能计算验证了这些结构的稳定性。结果表明，单原子空位诱导了平带隙中态的出现，且有大量电荷局域于这些缺陷附近。因此，这些异质结呈现本征偶极矩。无论移除原子的化学种类如何，从晶格中移除一个原子均未观察到键重构。我们的计算预测间接电子带隙值为 1.6–1.7 eV 之间。
引用
@article{arxiv.2012.05953,
title = {Electronic and Structural Properties of Janus SMoSe/MoX$_2$ (X=S,Se) In-plane Heterojunctions: A DFT Study},
author = {Ramiro M. dos Santos and Wiliam F. da Cunha and William F. Giozza and Rafael T. de Sousa Júnior and Luiz F. Roncaratti Júnior and Luiz A. Ribeiro Júnior},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.05953},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 5 Figures