少层 Janus MoSSe 体系的多重控制
材料科学
2021-06-30 v1
摘要
在这项基于密度泛函理论的计算工作中，我们研究了非对称多层 MoSSe 结（即 Janus 结）的电子与电子输运性质。聚焦于 4 层体系，我们研究了电场、静电掺杂、应变以及层间堆叠对电子结构的影响。我们发现，面外电场可以诱导金属到半导体的转变。面内双轴压缩应变可以降低这种转变的临界电场。由于内禀电场的存在，4 层 MoSSe 可以整流面外电流。在模型结 Zr/4 层 MoSSe/Zr 中，整流比达到 34.1。通过增加 MoSSe 的层数可以进一步提高该比值。此外，我们展示了面内双轴拉伸应变导致 4 层 MoSSe 的剧烈突发垂直压缩，表明存在二次相变。进一步地，在 的 Zr/ 层 MoSSe/Zr 结中，观察到了费米能级处电子透射的奇偶效应。这些发现揭示了该非对称体系丰富的物理内涵，并有力地表明 4 层 MoSSe 的性质具有高度可调性，从而为未来涉及材料研究与纳米电子学的实验提供了指导。
引用
@article{arxiv.2011.08959,
title = {Multiple Control of Few-layer Janus MoSSe Systems},
author = {Shuanglong Liu and James N. Fry and Hai-Ping Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.08959},
year = {2021}
}