Janus 结构 VSiGeP2As2 中关联驱动的拓扑转变
材料科学
2023-02-21 v2
摘要
二维材料中本征铁磁性的出现为研究磁性与拓扑之间的相互作用提供了可能。描述特定方向磁化易轴的磁各向异性能（MAE）是纳米尺度应用的重要标尺。本文采用第一性原理方法研究了原始 VSi2Z4（Z=P, As）及其 Janus 相 VSiGeP2As2 的电子能带结构、MAE 的应变依赖关系，以及拓扑随库仑相互作用的演化。在 Janus 相中，该化合物呈现镜面对称破缺，等效于存在电场，体系可具有压电性。研究表明，三种单层均呈现铁磁基态有序，且在双轴应变下依然稳健。获得了较大的耦合常数 J，其与磁晶各向异性共同将导致较高的临界温度。我们发现 VSi2P4（VSi2As4）为面外（面内）磁化，而 VSiGeP2As2 为面内磁化。此外，我们观察到 Janus 相 VSiGeP2As2 中的关联驱动拓扑转变。对这些新兴原始相与 Janus 相磁性半导体的分析，为研究二维材料中磁性与拓扑的相互作用开辟了前景。
引用
@article{arxiv.2302.05146,
title = {Correlation-driven topological transition in Janus VSiGeP2As2},
author = {Ghulam Hussain and Amar Fakhredine and Rajibul Islam and Raghottam M. Sattigeri and Carmine Autieri and Giuseppe Cuono},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.05146},
year = {2023}
}
备注
15 pages, 7 figures, 1 table