Bi2GeTe4 中的电子-声子耦合与拓扑磁电导的量子修正
材料科学
2022-01-25 v1
摘要
我们报道了单晶 Bi2GeTe4 的结构、振动特性以及由弱反局域化(WAL)诱导的磁电导量子修正。表面能带计算显示 Bi2GeTe4 中存在对应于拓扑表面态的单 Dirac 锥。由磁电导的 Hikami-Larkin-Nagaoka 拟合估计的相位相干长度 l_{\phi} ~ 143 nm 和 prefactor {\alpha} ~ - 1.54 描述了电导的量子修正。A1g Raman 模式的反常温度依赖性证实了增强的电子-声子相互作用。我们的结果确立了 Bi-Te 振动与拓扑表面态以及 Bi2GeTe4 中 WAL 的关联。
引用
@article{arxiv.2110.06587,
title = {Electron-Phonon Coupling and Quantum Correction to Topological Magnetoconductivity in Bi2GeTe4},
author = {Niraj Kumar Singh and Divya Rawat and Dibyendu Dey and Anna Elsukova and Per O. Å. Persson and Per Eklund and A. Taraphder and Ajay Soni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.06587},
year = {2022}
}