Bi4Br4 中依赖于晶面的拓扑相变
材料科学
2022-06-13 v1 量子物理
摘要
在一类材料中实现多种拓扑非平庸表面态的共存，有望为具有选择性鲁棒自旋电流的新型电学应用奠定基础。在此，我们应用磁电导特征和角分辨光电子能谱（ARPES）来可视化准一维材料 Bi4Br4 的表面选择电子特征演化。输运测量表明，对电导的量子干涉修正在（001）和（100）面分别具有与 Berry 相位值相关的弱局域化和弱反局域化效应的符号性自旋旋转特征。ARPES 谱分别为侧（100）面提供了准一维无质量狄拉克表面态、为顶（001）面提供了各向异性有质量狄拉克表面态的实验证据，这与磁电导的角度依赖标度行为高度吻合。我们的结果揭示了准一维 Bi4Br4 中依赖于晶面的拓扑相，促进了对此双重拓扑类及拓扑自旋电子学可行技术应用的进一步研究。
引用
@article{arxiv.2111.11007,
title = {Facet Dependent Topological Phase Transition in Bi4Br4},
author = {Jingyuan Zhong and Ming Yang and Fei Ye and Chen Liu and Jiaou Wang and Weichang Hao and Jincheng Zhuang and Yi Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.11007},
year = {2022}
}