Bi4Br4 中的大能隙量子自旋霍尔态与温度诱导的 Lifshitz 相变
材料科学
2021-10-14 v1
摘要
寻找具有完全打开的大能隙以克服室温下热扰动的新型量子自旋霍尔绝缘体引起了极大关注，因为其一维自旋动量锁定拓扑边缘态可作为低功耗电子学和高性能自旋电子学实际应用中的无耗散通道。在这里，我们报告了利用扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱（ARPES）技术对单层 Bi4Br4 拓扑性质的研究。第一性原理计算揭示了在约 0.2 eV 的大块体能隙内一维边缘态积分的拓扑非平庸性。不同温度下的 ARPES 测量显示了温度诱导的 Lifshitz 相变，对应于化学势位移引起的电阻率异常。讨论了超导性的出现与 Lifshitz 相变之间的联系。
引用
@article{arxiv.2110.06658,
title = {Large-Gap Quantum Spin Hall State and Temperature-Induced Lifshitz Transition in Bi4Br4},
author = {Ming Yang and Yundan Liu and Wei Zhou and Chen Liu and Dan Mu and Yani Liu and Jiaou Wang and Weichang Hao and Jin Li and Jianxin Zhong and Yi Du and Jincheng Zhuang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.06658},
year = {2021}
}