通过中红外光学霍尔效应测定锡掺杂单晶单斜β-氧化镓中的电子有效质量
材料科学
2018-01-17 v1
摘要
通过中红外光学霍尔效应，结合对（）和（）表面切面的研究，实验测定锡掺杂单晶单斜β-GaO中等效导带极小值电子有效质量的各向同性平均值为。该结果落在理论计算对未掺杂β-GaO所预测较宽数值范围内。该结果也与近期使用Gaussian-attenuation-Perdue-Burke-Ernzerhof杂化密度泛函的密度泛函计算相当，后者预测平均有效质量为（arXiv:1704.06711 [cond-mat.mtrl-sci]）。在我们的不确定度范围内，我们未检测到电子有效质量的各向异性，这与大多数先前的理论计算一致。我们根据实验不确定度范围讨论了电子有效质量参数可能各向异性的上限，并将我们的发现与近期理论结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1710.10094,
title = {Electron effective mass in Sn-doped monoclinic single crystal $\beta$-gallium oxide determined by mid-infrared optical Hall effect},
author = {Sean Knight and Alyssa Mock and Rafał Korlacki and Vanya Darakchieva and Bo Monemar and Yoshinao Kumagai and Ken Goto and Masataka Higashiwaki and Mathias Schubert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10094},
year = {2018}
}