Mn掺杂GaAs单离子各向异性的EPR测量
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
presented 对 MBE 生长的 Mn 掺杂 GaAs 的电阻导共振(EPR)研究。分辨的细结构允许我们评估自旋哈密顿量的晶体场参数。得到的立方常数为 a= -14.1 10^-4/cm。轴向场参数 D 随 Mn 浓度 x 的增大而增大，即随 (Ga,Mn)As 层应变的增大。对 D 的外推显示，单离子各向异性是大于 Mn 浓度的铁磁层中观察到的磁各向异性的重要贡献。对 EPR 线宽的分析表明，浓度为 5×10^19/cm^3 的本征缺陷，而非 Mn 离子，是晶体场波动的主要来源。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106227,
title = {Single ion anisotropy of Mn doped GaAs measured by EPR},
author = {O. M. Fedorych and E. M. Hankiewicz and Z. Wilamowski and J. Sadowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106227},
year = {2007}
}
备注
4 pages 2 figures