无序 Ge_{1-x}Mn_{x}Te 中的磁各向异性能
材料科学
2015-11-30 v1
摘要
我们从理论上分析了化学无序对 Ge_{1-x}Mn_{x}Te 半导体层磁各向异性的影响，已知该半导体层表现出载流子诱导的铁磁性以及菱方晶格的铁电畸变。利用 DFT 方法，我们确定了由于 Mn 离子替代 Ge 以及 Ge_{1-x}Mn_{x}Te 中存在极高浓度阳离子空位而导致的晶体结构局部变化。我们计算了这种结构与化学无序对单离子磁各向异性机制的影响，并表明与源于 Mn 离子向邻近 Te 和 Ge 离子诱导自旋极化的磁各向异性机制相比，其贡献小一个数量级。我们还讨论了由于在晶格中不同分布的 Mn 离子对所引起的磁各向异性效应。对化学无序的空间平均极大地削弱了该磁各向异性机制的强度，并恢复了磁系统的全局菱方对称性。
引用
@article{arxiv.1507.00762,
title = {Magnetic anisotropy energy in disordered Ge_{1-x}Mn_{x}Te},
author = {A. Łusakowski and P. Bogusławski and T. Story},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.00762},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 6 figures