二维双层结构的电学等效范德华间隙
介观与纳米尺度物理
2018-11-08 v1
摘要
由范德华间隙隔开并靠范德华力结合的二维（2D）材料垂直堆叠结构，在众多纳米技术应用中极具前景。这些堆叠结构中的电荷控制可采用简单静电学方法或精细原子学方法进行建模。本文针对栅控二维过渡金属硫族化合物双层结构比较了这些方法，并表明与原子学（密度泛函理论）模拟相比，近期报道的基于静电学的该系统模型在能带能量上存在较大误差。这些误差源于离子势尾部减小了二维层间电学等效范德华间隙，可通过在静电学模型中使用缩减的间隙予以修正。对于二维双层结构中3 的物理范德华间隙（定义为硫族原子间距），其电学等效间隙小于1 。以基于带间隧穿的极低功耗晶体管为例，这会导致从静电学估算的阈值电压产生数百毫伏以上的误差。
引用
@article{arxiv.1803.10009,
title = {Electrical-equivalent van der Waals gap for 2D bilayers},
author = {Dhirendra Vaidya and Saurabh Lodha and Swaroop Ganguly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.10009},
year = {2018}
}