计算贝里电导的高效算法
强关联电子
2014-07-22 v2 量子物理
摘要
我们提出并构建了一种数值算法，用于计算拓扑能带绝缘体中的贝里电导。该方法适用于冷原子系统以及固态装置，既适用于费米能级位于两个体带隙之间的绝缘情形，也适用于金属区域，并能在两者之间平滑插值。该算法在构造上具有规范不变性，效率高，并能给出具有已知且可控统计误差棒的贝里电导。我们将该算法应用于拓扑绝缘体领域的几个典型模型，包括蜂窝晶格上的 Haldane 模型、多带 Hofstadter 模型以及描述在 CdTe/HgTe/CdTe 量子阱异质结构中观测到的二维自旋霍尔效应的 BHZ 模型。
引用
@article{arxiv.1401.1819,
title = {Efficient algorithm to compute the Berry conductivity},
author = {A. Dauphin and M. Müller and M. A. Martin-Delgado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.1819},
year = {2014}
}
备注
Revtex4 file, color figures. Revised version published in New Journal of Physics