平行磁场对二维中性子行为的影响
强关联电子
2007-05-23 v1 无序系统与神经网络
介观与纳米尺度物理
摘要
我们测量了平行磁场 B 对 Si 中二维电子体系统的磁电导率 (MC)。在电导率随载流子密度 \sigma (n_s,T,B=0)=\sigma (n_s,T=0) + A(n_s)T^2 (n_s 为载流子密度) 下降到非零值时测量 MC。非常接近 B=0 金属-绝缘体转变时，\sigma 随 B 增大会出现显著的初始下降，随后 \sigma (B) 变化较小。在更高的 n_s 下，MC 的初始下降不那么明显。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012063,
title = {Effects of a parallel magnetic field on the novel metallic behavior in two dimensions},
author = {K. Eng and X. G. Feng and Dragana Popovic and S. Washburn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012063},
year = {2007}
}
备注
2 pages, 3 figures; to be publ. in the Proceedings of the 25th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Osaka, Sept. 2000)