隧穿对纳米线薄膜电导率的影响：基于核壳模型的计算机模拟
介观与纳米尺度物理
2020-03-23 v1 无序系统与神经网络
应用物理
摘要
我们研究了二维纳米线网络的电导率。对隧穿贡献于其电导率的解析评估表明，该贡献与线浓度的平方成正比。通过计算机模拟，我们考虑了三种电阻，即(i)纳米线电阻、(ii)线-线结电阻，以及(iii)线间隧穿电阻。我们发现由于隧穿，渗流阈值降低。然而，隧穿对致密纳米线网络的电导影响可忽略不计。
引用
@article{arxiv.1911.02307,
title = {Effect of tunneling on the electrical conductivity of nanowire-based films: computer simulation within a core--shell model},
author = {Irina V. Vodolazskaya and Andrei V. Eserkepov and Renat K. Akhunzhanov and Yuri Yu. Tarasevich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02307},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 5 figures, 45 references