随机纳米线网络中取向效应的解析建模
介观与纳米尺度物理
2020-01-22 v2
摘要
由随机纳米线阵列制成的薄膜是所需柔性透明导电薄膜电子器件的诱人选择。然而，迄今为止尚无预测其电导率的统一理论。特别是，取向分布对网络电导率的影响仍知之甚少。我们提出了一种随机纳米线网络电导率的简化解析模型，该模型首次准确刻画了任意纳米线取向分布对电导率的影响。我们的模型是一个上界，并随着纳米线密度增大收敛到真实电导率。该模型以渐近更快的计算取代蒙特卡洛采样，在实践中可比标准计算模型快得多地算出。我们近似的成功为纳米线取向如何影响电导率提供了新颖的理论见解，启示了未来研究方向。
引用
@article{arxiv.1908.10016,
title = {Analytical modeling of orientation effects in random nanowire networks},
author = {Milind Jagota and Isaac Scheinfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.10016},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 6 figures