金注入纳米复合薄膜隧穿电导率的维度效应
无序系统与神经网络
2015-04-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了金注入聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和氧化铝纳米复合薄膜的电导率对金浓度的依赖性。对于超过临界浓度的金含量，Au-PMMA 和 Au-氧化铝的电导率很好地由二维渗流描述，表明渗流的临界关联长度大于薄膜厚度。在临界负载以下，电导率主要由分散在 PMMA 或氧化铝连续基质中的孤立金颗粒之间的隧穿过程主导。通过对隧穿电导率的有效介质分析，我们表明 Au-PMMA 表现为二维隧穿系统，因为薄膜厚度与平均金颗粒尺寸相当。相反，Au-氧化铝薄膜的电导率最好由三维隧穿描述，尽管薄膜厚度仅为颗粒尺寸的几倍。我们将 Au-氧化铝薄膜在隧穿机制下有效维度的增强解释为薄膜厚度相对于平均颗粒间距较大所致。
引用
@article{arxiv.1504.01312,
title = {Dimensional effects on the tunneling conductivity of gold-implanted nanocomposite films},
author = {C. Grimaldi and M. Cattani and M. C. Salvadori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01312},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 7 figures