温度对In_x Ga_(1-x) As/GaAs量子点激光的影响
计算物理
2017-07-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文中，采用单带有效质量方法研究了金字塔形In_x Ga_(1-x) As/GaAs量子点激光器（QDLs）的应变、带边和能级。结果表明，虽然温度对应变张量没有显著影响，但带隙随温度升高而降低，辐射波长随温度升高而延长。此外，带隙和激光能量并非随温度上升而线性降低。我们的结果与先前的研究一致。关键词：量子点激光器、应变张量、带边、纳米电子学、温度效应
引用
@article{arxiv.1511.00996,
title = {Effect of temperature on In_x Ga_(1-x) As/GaAs quantum dot lasing},
author = {Mahdi Ahmadi Borji and Esfandiar Rajaei},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00996},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 7 figures