GdN 中温度依赖的电子关联效应
强关联电子
2010-02-09 v1 材料科学
摘要
我们基于多带近藤格点模型的多体分析与第一性原理 TB-LMTO 能带结构计算的结合，研究了氮化钆（GdN）导带中温度依赖的电子关联效应。计算并讨论了诸如准粒子态密度（Q-DOS）、谱密度（SD）和准粒子能带结构（Q-BS）等物理性质。结果可与 GdN 导带的自旋和角分辨逆光电子发射谱（ARIPS）进行比较。获得了下带边（T= T=0）0.34 eV 的红移，这与文献中报道的早期理论预测和实验值非常接近。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606653,
title = {Temperature dependent electronic correlation effects in GdN},
author = {A. Sharma and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606653},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 8 figures, accepted for publication in Journal of Physics: Condensed Matter