弯曲声子对单层黑磷中空穴态的影响

晶体薄膜中的弯曲热涨落影响载流子的能带结构，导致在未扰动带边之外出现指数态密度(DOS)尾。我们针对单层黑磷中空穴这一特殊情况给出了该尾部的理论描述，单层黑磷表现出极各向异性的准一维色散 ($m_y/m_x\gg1$)，并因此在价带顶处具有增强的范霍夫奇点(Van Hove singularity)。材料参数由第一性原理(ab initio)计算确定，然后用于定量估计双声子（弯曲）过程对电荷载流子 DOS 的影响。研究表明，与各向同性情形不同，其物理由波矢量级为 $q^*$ 的声子决定，其中 $q^*$ 确定了弯曲声子的谐波与非谐波行为之间的交叉。计算了有限温度下单层黑磷中空穴的谱密度。